中国陶瓷

2005, (02) 10-13

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釉中晶相对防静电陶瓷电性能的影响探讨
THE EFFECT OF THE CRYSTAL PHASE IN THE GLAZE ON THE ELECTRIC PERFORMANCE OF ANTI-STATIC CERAMIC

汪永清,吴建青,周健儿,赵英,毛旭琼

摘要(Abstract):

以Sb掺杂的SnO2半导体为导电填料,选取透明釉、钡无光釉、锆乳浊釉为基釉进行了防静电陶瓷的研制。通过XRD、SEM、EDS等测试手段对防静电陶瓷进行了显微结构分析,重点探讨了基釉中晶相成分与防静电陶瓷电性能的关系。结果表明,釉中晶相对防静电陶瓷电性能的影响是晶相的阻隔作用、釉成分的偏析、导电成分的偏析三者综合作用的结果,透明釉、钡无光釉能制备电性能良好的防静电陶瓷,而锆乳浊釉中锆英石晶相会降低防静电陶瓷的表面电阻,不适于制备防静电陶瓷。

关键词(KeyWords): 防静电;陶瓷;显微结构

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation):

作者(Author): 汪永清,吴建青,周健儿,赵英,毛旭琼

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DOI: 10.16521/j.cnki.issn.1001-9642.2005.02.004

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