汪怀蓉,李军

• 1:贵州建设职业技术学院
• 2:山东理工大学

摘要(Abstract)：

以微米TiN、AlN以及BN为主要原料,以微米B_4C、纳米Si粉以及微米Y_2O_3为添加剂,在N_2气氛保护下热压烧结制备了AlN-TiN-BN复相导电陶瓷。测试和分析了烧结样品的相对密度、弯曲强度、断裂韧性、硬度值以及导电性能。结果表明,最佳的导电陶瓷配比中微米Ti N添加量(wt%)为40%,微米Al N添加量为30%,微米BN为15%。当烧结温度为1800℃时,样品性能最佳,其相对密度为95.7%,弯曲强度为415.3 MPa,断裂韧性为5.54 MPa·m~(1/2),维氏硬度为HRA 83.1,电阻率值为781.5μΩ·cm。

关键词(KeyWords)： 电路基板;热压烧结;力学性能;导电性能;导电通道

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation):

作者(Author): 汪怀蓉,李军

DOI: 10.16521/j.cnki.issn.1001-9642.2016.05.008

参考文献(References)：

• [1]王玉成,傅正义.TiB 2-BN复相导电陶瓷的研究进展[J].武汉工业大学学报.2000,22(5):35-37.
• [2]张国军.反应热压法制备BN-AlN-TiB 2导电复相陶瓷[J].中国陶瓷.1996,24(2):175-189.
• [3]刘业翔,邹忠.导电陶瓷TiB 2开发与应用的最新进展[J].稀有金属,1996,20(6):438-443.
• [4]章瑜.低温共烧多层陶瓷基板实用化技术研究[J].无机材料学报,2001,(6):36-38.
• [5]徐劲峰,方明豹.低温共烧多层陶瓷IC基板[J].上海建材,2002,(2):22-24.
• [6]王文化,孙义传,章瑜.MDM用低介电常数多层陶瓷基板的研究[J].混合微电子技术,1998,9(3):30-33.
• [7]周东祥,潘晓光.电子元件与材料测试技术[D].哈尔滨:黑龙江科学技术出版社,1989,82-86.
• [8]王玉成,傅正义.导电体与绝缘体复相陶瓷中的渗流现象[J].武汉理工大学学报,2001,23(2):50-53.
• [9]张国军,鲁默.BN-TiB 2导电陶瓷的导电性与耐腐蚀性[J].仪表材料,1990,21(1):50-56.
• [10]秦明礼,曲选辉,林健凉,等.氮化铝陶瓷研究和发展[J].稀有金属材料与工程,2002,31(1):8-12.