中国陶瓷

2020, v.56;No.381(08) 1-8

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借鉴日本专利技术,促进国内高导热氮化硅基片产业化
Promotion of Domestic Industrialization of High Thermal Conductivity Silicon Nitride Substrates from Lessons of Japanese Patented Technology

李贵佳;

摘要(Abstract):

随着半导体集成模块发热量巨增,市场急需高导热陶瓷基片,介绍了高导热陶瓷基片的种类、特点和市场主要供应商,明确了氮化硅陶瓷基片具有高热导、高强高韧、热膨胀适应性良好等特点,以其突出的综合性能适应于第三代半导体芯片的发展方向,针对我国氮化硅基片仍未产业化,本文总结了全球主要供应商日本企业在华专利技术,为我国氮化硅基片产业化提供技术情报和专利预警。

关键词(KeyWords): 氮化硅;基片;高导热;专利;产业化

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation):

作者(Author): 李贵佳;

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DOI: 10.16521/j.cnki.issn.1001-9642.2020.08.001

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